삼성전자에 이어 SK하이닉스도 D램에 EUV 공정 적용 예정
EUV 공정을 통해 성능, 생산성 향상 가능
SK하이닉스, 이천 M16에서 내년 양산 목표

SK하이닉스 이천사업장 [출처 = SK하이닉스 홈페이지]

 

[문화뉴스 MHN 문정환 기자] SK하이닉스가 차세대 D램인 EUV D램 개발을 준비 중인 것으로 알려지며 EUV D램이 무엇인지 관심이 쏠리고 있다.

세계 2위 메모리 반도체 제조업체인 SK하이닉스는 지난 18일 채용 홈페이지를 통해 EUV 분야 경력직 공개 채용을 진행 중이다. 채용 직무는 공정 연구개발(R&D)로, 신소재·전기·전자·물리 등 유관 학사 전공을 소지하고 있으며, 5년 이상 경력을 보유 중이면 지원할 수 있다.

SK하이닉스가 EUV 분야에서 경력 채용 공고를 낸 것은 올해 들어 처음이다. 차세대 D램으로 알려진 EUV D램 개발에 박차를 가하고 있는 것으로 예상된다. SK하이닉스는 지난해 10월 실적발표를 통해서 "4세대(1a) 10나노 D램 양산은 2021년 초를 목표로 개발 중이다. 1a 공정에서 최초로 EUV 장비가 양산에 적용될 예정"이라고 공식 발표했다.

임창문 SK하이닉스 미래기술연구원 담당은 '테크위크 2020 LIVE' 강연에서 "SK하이닉스의 EUV 팹이 내년 초 오픈됩니다. 팹을 오픈한다는 것은 보여주기로 하는 것이 아니니, 내년 실제 제품을 볼 수 있을 것입니다. 현재 열심히 기술 검증과 테스트를 하고 있습니다."라고 말하며, 2021년 초 EUV 공정이 적용된 D램을 양산할 계획이라고 발표했다.

삼성전자의 D램 [출처 = 삼성전자 뉴스룸]

 

EUV는 극자외선(Extreme Ultra Violet)의 줄임말로 반도체의 원재료인 실리콘 웨이퍼에 회로를 그려 넣는 노광 공정에 활용되는 공법이다. EUV 공정이 주목받는 이유는 반도체의 미세화 때문이다. EUV는 파장의 길이가 13.5나노미터(nm·10억분의 1m)로 짧은 광원이다. 기존에 노광 공정에 사용되던 불화아르곤(ArF) 광원 파장의 10분의 1 수준이다. 따라서 얇고 세밀한 회로 패턴을 구현할 수 있다. 이렇게 회로 선폭을 미세화하면, 전자의 이동 거리가 줄고 동작 속도가 빨라지기 때문에 더 좋은 성능을 가진 반도체를 만들 수 있다.

또한, 기존 공정에서는 수차례 노광 공정을 반복해야 했지만, EUV 공정을 도입하면 공정 단계를 절반 수준으로 줄일 수 있다. 공정 단계를 감소시키면 반도체 생산성을 높일 수 있다.

EUV 노광 장비는 1대 가격이 약 1500원에 달하는 것으로 알려져 있어 EUV 공정 양산을 위해서는 막대한 투자가 요구된다. 하지만 투자를 통해 기술 격차를 확대할 수 있기 때문에 삼성전자와 SK하이닉스는 EUV 공정 양산을 위해 공격적 투자를 하고 있다.

현재 EUV 공정을 사용 중인 파운드리(위탁생산) 반도체 업계는 삼성전자와 TSMC 두 곳뿐이다. 메모리 분야에서는 삼성전자가 지난 3월 10나노 1세대(1x) D램에 EUV 공정을 적용했다. 또한, 지난 8월에는 3세대 10나노미터급(1z) LPDDR5 D램 양산에 돌입한다고 발표했다.

SK하이닉스는 경기도 이천에 차세대 D램 생산 기지를 M16으로 정하고 EUV 공정을 적용한 D램을 양산할 것으로 전망된다. SK하이닉스는 이천캠퍼스에 EUV 노광기 2대를 배치한 것으로 알려졌다.

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SK하이닉스, '차세대 D램' 개발 추진... EUV D램은 무엇인가
삼성전자에 이어 SK하이닉스도 D램에 EUV 공정 적용 예정
EUV 공정을 통해 성능, 생산성 향상 가능
SK하이닉스, 이천 M16에서 내년 양산 목표

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