기존 DDR4 메모리 대비 2배 성능
신 공정 적용해서 전력 소모 13% 감소
자율주행·스마트시티·의료산업 등 활용 기대
[문화뉴스 김선기 기자] 삼성전자는 25일 업계 최초로 ‘하이케이 메탈 게이트 (High-K Metal Gate, 이하 HKMG)’ 공정을 적용한 업계 최대 용량의 512GB DDR5 메모리 모듈을 개발했다고 밝혔다.
이번에 개발된 DDR5 메모리는 차세대 D램 규격을 만족하는 기억장치로, 기존의 DDR4 메모리 대비 2배 이상의 성능을 보인다. 메모리 반도체 공정의 미세화에 따른 누설 전류를 막기 위해 유전율 상수(K)가 높은 물질을 공정에 적용해 고성능과 저전력을 동시에 구현한 것이 특징이다.
HKMG 공정을 거친 삼성전자 DDR5 메모리 모듈은 기존 공정 대비 전력 소모가 약 13% 감소해, 데이터센터와 같이 전력효율이 중요한 사용처에서 유용하게 사용될 수 있을 것을 전망된다.
또한 삼성전자는 이번 제품에 범용 D램 제품으로는 처음으로 8단 TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술이 적용되었다고 밝혔다.
삼성전자는 고용량 메모리 시장의 확대와 데이터 기반 응용처의 확산에 따라 16Gb 기반으로 8단 TSV 기술을 적용해 DDR5 512GB 모듈을 개발했다.
삼성전자가 이번에 개발한 고용량 DDR5 모듈은 업계 최고 수준의 고용량·고성능·저전력을 구현하여 차세대 컴퓨팅, 대용량 데이터센터, 인공지능 등 첨단산업 발전의 핵심 솔루션 역할을 할 것으로 기대된다.
삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 손영수 상무는 “삼성전자는 메모리 반도체와 시스템 반도체 기술 경쟁력을 바탕으로 업계 최초로 HKMG 공정을 메모리 반도체에 적용했다”며, “이러한 공정 혁신을 통해 개발된 DDR5 메모리는 뛰어난 성능과 높은 에너지 효율로 자율주행, 스마트시티, 의료산업 등으로 활용 분야가 확대될 고성능 컴퓨터의 발전을 더욱 가속화시킬 것으로 기대된다”고 밝혔다.
한편, 삼성전자는 위와 같은 신기술을 적용한 고용량 DDR5 메모리를 차세대 컴퓨팅 시장의 고객 수요에 따라 적기에 상용화할 계획이라고 밝혔다.